☁☃☖ &⚋🏺🟈nbsp 湾湾不是中国大陆，它没有受到欧美的技术封锁，台积电的芯片制造设备和英特尔的芯片制造设备没有什么代差。
之所以工艺制程差了整整一代，是因为最新的铜互联工艺还没📠🜔有取得突破，当然还有其它方面的原因，整个芯片制程有上千道工序，各个芯片厂家都有自己的拿手技术，这一点，英特尔公司肯定要比新生的台积电强上不止一⛓筹。
&🅭nbsp 在铜互联工艺以前，大家都是铝互联工艺，可是铝互联工艺到了05微米制程时，就基本达到了技术瓶颈，再也无法突破。
这事要说清楚很复杂，总之是铝材料本身的性质决⛌🙁定了铝线🛕🜓🁰带宽🄃🞅以及时钟频率。
大家都知道铝的电阻是28🗊🙼🏭μΩ，而铜的电阻是17μΩ，这就使得🙧🌯铜导线可以做得更薄更窄，相应的就提高了单位面积内晶体管的容量。
&nbs🂸📥🜽p&nbs⛓🙿🐌p 这就是05微米制程工艺向05微🕻🎰🔮米制程工艺跨进的一个技术背景。
铜互联工艺是i🅂🃬b公司发明的，但是他们现在也只做到实验室验证的水平，并没有真正实🛶♓用。
&nb🝄🈣⛲sp &nbs🐫🂵p正因为如此，ib公司在94年就大肆向其他晶圆企业兜售他们这种并不成熟的铜互联技术。
其中也向台积电兜售了，但是当时台积电可能是资金短缺的原因，没有出钱买，倒是同为晶圆代工⚲企业的台联电出资购买了🁫。
九十年代的台积电因为技术实力不够雄厚，倒致制程工艺比🛕🜓🁰英特尔低了一个级别。
这使得他们只能代工一些低端工艺的芯片，利润非常微薄，总之，这个时候的台⛼积🂱💢📟电🗑还在苦苦挣扎，还没有一飞冲天。
&nb🔀♅🆁sp 铜互联技🔞🁲术，原理很简单，看起来好像就是把铝换成铜这样简单，其实不是那么容易。
其中最大的问题就是铜不与晶体管相粘，就是这☽🄺个简单的问题难住了所有的晶圆企业。
要知道芯🔞🁲片内部是非常非常的精密，在我们人眼看不到的内部，如果用一千倍的电子显微镜观看，里面的晶体管与金属电路，是纵横交错，密密麻麻。
特别是金属电🄆🞠路，不是一层那么简单，而是多达两三层。
&nbs🐫🂵p在这么精密的狭窄空间内，要想解决这个铜线与晶体管不粘连的问题，确实非常困难。
在没有前人经🄆🞠验的基础上，科学家们只能通过广撒网的方式，一一实验各种粘接材料。
刘美娟是穿越者，也是集成电路方面的行内人，她当然知之甚📠🜔详，台积电🏗🚍公司也会在99的时候，解决这个问题。
其实很简单，就是要先镀上一层薄薄的籽晶材料，也就是单晶铜，单晶⛀🗒铜与sio2有良好的附着性。